FDMS86252L
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FDMS86252L |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.13 |
10+ | $1.914 |
100+ | $1.5387 |
500+ | $1.2642 |
1000+ | $1.0475 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-PQFN (5x6) |
Serie | PowerTrench® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4.4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1335 pF @ 75 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.4A (Ta) |
Grundproduktnummer | FDMS86252 |
FDMS86252L Einzelheiten PDF [English] | FDMS86252L PDF - EN.pdf |
FDMS86257 FAIRCHILD
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
MOSFET N-CH 150V 10A/45A POWER56
ON QFN8
ON QFN8
MOSFET N-CH 150V 10A/63A POWER56
MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
MOSFET N-CH 150V 8-MLP
FAIRCHILD QFN
MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
MOSFET P-CH 150V 22A POWER 56
FAIRCHILD QFN
MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-PQFN
MOSFET N-CH 150V POWER56
FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G
FET -150V 53.0 MOHM PQFN56
MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
FAIRCHILD QFN
MOSFET N-CH 150V 16A POWER56
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FDMS86252Lonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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